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发光二极管

与基于灯丝(filament)的光源相比,发光二极管(LED)效率更高,响应更快,并且占用空间小得多。LED主要由半导体材料制成,这些半导体材料的电子态密度包括被称为带隙的禁带。当电子和空穴被ji发并跨越带隙复合时,发射的光子(被观察为光)就携带带隙的能 量。1990年代蓝色LED的问世,以及随后对III族氮化物材料可调性的研究,为基于LED的照明和显示技术铺平了道路。

在LED中,GaN通常以异质结构形式生长,具有许多In xGa1-xN量子阱(QWs)。它们在电磁波频谱的可见光部分高效发光,而非在本征(GaN)带隙能 量3.4 eV(365 nm)处产生。可以通过增加其有源区体积,来提高增益和光学限制因 子,而重要的是,还能够调节其发射的颜色(波长)。

阴极发光(CL)技术是GaN LED工艺开发中一种快速且高度相关的检测手段。高能电子束可以有效地ji发氮化物半导体(甚至是AlN)的宽带隙,并分别为在扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)中的CL测试,提供高达10 nm和1 nm的空间分辨率。能够直接可视化位错等非辐射缺陷的分布,并确定点缺陷的特征。此外,还可确定应变、掺杂、生长方向和载流子浓度的空间变化以及叠层的不同成分(例如,AlN,GaN,量子阱)。

此外,还可以使用角度分辨或波长-角度分辨模式来观察器件的发射模式。角度分辨CL模式的使用可以对光谱进行详细表征,因此这些模式为发光器件的表征提供了又一重要指标。

 

实验简报:纳米阴极发光可实现更高效率的发光二极管设计(链接到:文章4(单页PDF:一篇TEM中CL应用))

应用说明阴极发光技术在μLED工艺检测,计量和失效分析的应用

(链接到:翻译文章3)

 

LED结构的3D计量

CL在提供了用于研究半导体材料的高横向空间分辨率的同时,还可以在深 度方向上解析测量。使用选定的SEM加速电压来确定产生CL信号的表面深 度,从而可以对掩埋在块状内的材料层进行分析。此外,它允许通过深 度分辨CL光谱研究其三维结构,可以对初级电子散射和载流子漂移/扩散的模拟进行比较。这种深 度分辨测量可以得到:

• 全加工设备中位错与基面层错的深 度及横向分布图

• 不同组成的亚表层的厚度测量,包括对多量子阱堆栈中单个量子阱的分析

• 器件结构内特定界面处的点缺陷位置(轴向分辨率约为1 nm)

 

失效分析

一般照明应用和汽车灯中经常使用白色和蓝色LED,而它们的使用其实也渗 透到了包括工业环境在内的更多用途中。在这些环境中,LED器件会受到诸如机械振动等的ji端环境、过高/过低的温度湿度以及化学物质的影响。人们越来越意识到,在这些条件下,LED芯片本身会导致模块故障,而非其外围元件。LED应用范围如此广泛,实验室的测试程序无法复制实际应用中所有用例。因此,有必要使用能够在宏观及微观尺度上观察LED结构,表征其物理结构和功能特性的分析技术。

 

原文链接:https://whatiscl.info/applications/semiconductors/device-characterization/light-emitting-diodes

参考文献

Pozina, G.; et al., Appl. Phys. Lett. 107 (2015) 251106

Zhao, Z.; et al., Applied Physics Express, 12 (2019) 034003

Griffiths, J.; et al., Nano Lett. 15 (2015) p7639 – 7643

Meissner, E.; et al. Materials (Basel) 10(10) 2017 p1202

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